当前数据洪流正以前所未有的速度重塑计算世界。2026年3月，全球半导体产业正面临DRAM技术发展的关键十字路口——一方面，AI大模型和高性能计算对内存带宽与容量的需求呈指数级增长；另一方面，传统DRAM技术正逼近物理极限。当摩尔定律逐渐失灵，内存墙已 ...

1 月 12 日，市场调研机构 CounterpointResearch 发布内存市场月度价格监测报告，明确指出全球存储行业已迈入“超级牛市”阶段，当前市场行情的热度甚至超过了 2018 年的历史峰值。在 AI 算力需求爆发与服务器扩容需求持续猛增的双重驱动下，DRAM（动态随机存取 ...

2025年12月30日晚间，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）正式向上海证券交易所递交招股书，拟在科创板挂牌上市。 保荐机构微中金公司和中信建投。 一、拟募资295亿元 长鑫科技本次科创板IPO拟募集资金高达295亿元，主要用于存储器晶圆制造 ...

2025年下半年，全球存储芯片市场正经历着一场前所未有的变革。从2024年底开始的价格复苏已经演变为全面的"超级周期"，DRAM和NAND Flash价格持续上涨，库存水平降至历史低位，产能利用率接近满载。这场由人工智能需求爆发驱动的行业景气度提升，不仅重塑了 ...

IT之家11 月 12 日消息，KIOXIA 铠侠今日宣布推出 SF10 固态硬盘。这一型号是其 EXCERIA BASIC 入门级产品线的首款产品，基于 BiCS8 QLC NAND 闪存，采用 PCIe 4.0 DRAM-less HMB 方案，符合 NVMe 2.0d 规范。 铠侠宣称 EXCERIA BASIC (SF10) 面向日常用户，是从 SATA 或 PCIe 3.0 SSD ...

： 本文对动态随机存取存储器（DRAM）技术进行了深入分析，追溯了其历史发展，探讨了当前的技术格局与未来前景，并详细比较了DRAM与静态随机存取存储器（SRAM）的优劣。此外，本文还考察了中国主要DRAM企业的发展历程，并与国际同行进行了对比。通过整合 ...

现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都问到手机的存储就陷入了茫然，于是我们经常会遇到“Q：你的手机内存多大？A：128GB”这样的笑话，实际上我们也相信提问者就是想知道手机存储容量的大小，而回答者也已经按照 ...

DRAM 制程如何突破 10nm？这曾是困扰行业的共同课题。 近日，SK 海力士带来了它的答案。 本周，2025 年 IEEE VLSI 研讨会在日本东京举行，会议上 SK 海力士提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图。 SK 海力士表示，4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存。

几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器(DRAM)作为主存储器，来为处理单元提供临时存储，以便检索数据和程序代码。DRAM的高速、高集成度、高性价比和出色的可靠性，促使DRAM技术在许多电子设备中得到了广泛应用。 DRAM位单元(存储一位信息的元件 ...

如图所示，encoder层实现压缩变换，decoder层实现解压变换。 并且，encoder与decoder的结构（层数和节点数量）是镜像对称的，具体理解可参考代码，codes talk。 自编码网络的作用是，将输入样本压缩，再在输出端重建样本。 有啥用呢？

半导体行业观察：自1966年被IBM研究中心的Robert H. Dennard发明至今，动态随机存取存储器（DRAM）已经经过了数十年的发展，并成为存储器市场最大的细分领域，占据了58%的存储器市场规模。 自1966年被IBM研究中心的Robert H. Dennard发明至今，动态随机存取存储器 ...

电阻式随机存取存储器（ReRAM）是一种正处于开发阶段的下一代内存技术。在经历了多年的挫折之后，这项技术终于开始受到欢迎了。 富士通和松下正在联合加大投入开发第二代 ReRAM 器件。此外，Crossbar 正在实验性地生产一种 40nm ReRAM 技术，目前正由中国的中芯 ...